- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359056 > M36DR432DA85ZA6T (意法半導(dǎo)體) 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M36DR432DA85ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，頁閃存和4兆位256K x16的SRAM，多個存儲產(chǎn)品 |
| 文件頁數(shù)： | 51/52頁 |
| 文件大小： | 834K |
| 代理商： | M36DR432DA85ZA6T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁當(dāng)前第51頁第52頁
51/52
M36DR432AD, M36DR432BD
REVISION HISTORY
Table 36. Document Revision History
Date
Version
Revision Details
15-Jan-2003
1.0
First issue.
15-Jan-2003
1.1
Bottom Device Code corrected on page 1.
25-Feb-2003
2.0
Document promoted from Preliminary Data to full Datasheet status.
28-Feb-2003
2.1
V
DDQF
signal removed from datasheet. SRAM Input Rise and Fall Times added to,
and V
DDF
and V
DDS
parameters differentiated in Table 14, Operating and AC
Measurement Conditions. V
DDS
added to the SIGNAL DESCRIPTIONS section.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36DR432DA10ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432CZA | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432BD | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432B120ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36DR432DZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR432-ZAT | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Flash Memory and 4 Mbit 256K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36DR864CB85ZA6 | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36DR864CB85ZA6T | 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M36JGK90X | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:CRT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。