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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F017-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓200萬× 8閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 38/48頁 |
| 文件大?。?/td> | 548K |
| 代理商： | MBM29F017-12 |
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38
MBM29F017
-90/-12
Figure 18 Data Polling Algorithm
Note: DQ
7
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
7
may change simultaneously with DQ
5
.
V
A
= Byte address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase operation
= Any of the sector group address
within the sector not being
protected during chip erase
operation.
Fail
DQ
7
= Data
No
No
DQ
7
= Data
DQ
5
= 1
Pass
Yes
Yes
No
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = VA
Yes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| MBM29F017A | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F017A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTN | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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