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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F017-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓200萬(wàn)× 8閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 42/48頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 548K |
| 代理商： | MBM29F017-12 |
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42
MBM29F017
-90/-12
I
TYPICAL CHARACTERISTICS CURVES
4.5
5.5
5.0
4.5
5.0
5.5
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I
C
,
T
A
= +25
°
C
f = 6.0 MHz
V
CC
SUPPLY VOLTAGE
(V)
“H” LEVEL OUTPUT CURRENT vs.
“H” LEVEL OUTPUT VOLTAGE
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
I
C
,
f FREQUENCY (MHz)
10
0.1
1
READ POWER SUPPLY CURRENT
(I
CC1
) vs. SUPPLY VOLTAGE
READ POWER SUPPLY CURRENT vs. FREQUENCY
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V
OL
“L” LEVEL OUTPUT VOLTAGE (V)
t
ACC
vs. LOAD CAPACITANCE (C
L
)
I
O
“L” LEVEL OUTPUT CURRENT vs.
“L” LEVEL OUTPUT VOLTAGE
–45
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
0
0
1
2
3
4
5
V
OH
“H” LEVEL OUTPUT VOLTAGE (V)
t
ACC
vs. SUPPLY VOLTAGE (V
CC
)
I
O
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
V
CC
SUPPLY VOLTAGE (V)
t
A
,
V
CC
= 5.0 V
T
A
= +25
°
C
V
CC
= 5.0 V
T
A
= +25
°
C
V
CC
= 5.0 V
T
A
= +25
°
C
V
IN
= V
CC
/GND
1.20
1.15
1.10
1.05
1.00
0.95
0.90
0.85
0.80
C
L
LOAD CAPACITANCE (pF)
t
A
,
0
20
40
60
80
100
120
T
A
= +25
°
C
V
CC
= 5.0 V
T
A
= +25
°
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
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| MBM29F017A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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