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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29F017-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓200萬× 8閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 5/48頁 |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | MBM29F017-12 |
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5
MBM29F017
-90/-12
I
PRODUCT SELECTOR GUIDE
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29F017
Ordering Part No.
–90
–12
Max. Address Access Time (ns)
90
120
Max. CE Access Time (ns)
90
120
Max. OE Access Time (ns)
40
50
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
20
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
7
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
BYTE
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
Low V
CC
Detector
Timer for
Program/Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲器) |
| MBM29F017A | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F017A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTN | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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