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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29F017-12 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 1,600（2米× 8）位快閃記憶體（單5V的電源電壓200萬× 8閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/48頁(yè) |
| 文件大小： | 548K |
| 代理商： | MBM29F017-12 |
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43
MBM29F017
-90/-12
(Continued)
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
ACC
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
A
,
V
CC
= 5.0 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
CE
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
C
,
V
CC
= 5.0 V
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
t
OE
, t
DF
vs. AMBIENT TEMPERATURE
T
A
AMBIENT TEMPERATURE (
°
C)
t
O
,
D
,
V
CC
= 5.0 V
30
20
10
0
CURRENT WAVE FORM (Chip Erase)
4 s/Division
I
C
Pre-Program
V
IH
WE
V
IL
0
15
30
45
75
60
–30 –15
0
15
30
45
75
60
–30 –15
t
OE
t
DF
0
15
30
45
75
60
–30 –15
Erase
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29F017-90 | 16M (2M ×8) Bit Flash Memory( 單5V 電源電壓2M ×8閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29F017A | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-SOIC -40 to 85 |
| MBM29F017A-70PFTN | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-70PFTR | 16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-90PFTN | 2.2A, 2.7-5.5V Single Hot-Swap IC Hi-Side MOSFET, Fault Report, Act-High Enable 8-PDIP -40 to 85 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29F017A | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTN | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:16M (2M X 8) BIT |
| MBM29F017A-12PFTR | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
| MBM29F017A-12PNS | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:FLASH MEMORY CMOS 16M (2M x 8) BIT |
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