- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377951 > MBM29LV400B-10 (Fujitsu Limited) CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 27/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-10 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁當前第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁
27
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
I
AC CHARACTERISTICS
Read Only Operations Characteristics
Notes:
Test Conditions: Output Load: TTL gate and 30 pF (MBM29LV400T-10/B-10)
1 TTL gate and 100 pF (MBM29LV400T-12/B-12)
Input rise and fall times: 5 ns
Input pulse levels: 0.0 V to 3.0 V
Timing measurement reference level
Input: 1.5 V
Output: 1.5 V
Parameter
Symbols
Description
Test Setup
-10
(Note)
-12
(Note)
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
—
Min.
100
120
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
CE = V
IL
OE = V
IL
Max.
100
120
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
OE = V
IL
Max.
100
120
ns
t
GLQV
t
OE
Output Enable to Output Delay
—
Max.
40
50
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
—
Max.
30
30
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
—
Max.
30
30
ns
t
AXQX
t
OH
Output Hold Time From Addresses,
CE or OE, Whichever Occurs First
—
Min.
0
0
ns
—
t
READY
RESET Pin Low to Read Mode
—
Max.
20
20
μ
s
—
t
ELFL
t
ELFH
CE or BYTE Switching Low or High
—
Max.
5
5
ns
C
L
3.3 V
Diodes = IN3064
or Equivalent
2.7 k
Device
Under
Test
IN3064
or Equivalent
6.2 k
Notes:
C
L
= 30 pF including jig capacitance (MBM29LV400T-10/B-10)
C
L
= 100 pF including jig capacitance (MBM29LV400T-12/B-12)
Figure 4 Test Conditions
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。