- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377951 > MBM29LV400B-10 (Fujitsu Limited) CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV400B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲(chǔ)器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/51頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-10 |
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5
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
I
PRODUCT LINEUP
I
BLOCK DIAGRAM
Part No.
MBM29LV400T/MBM29LV400B
Ordering Part No.
V
CC
= 3.3 V
-10
—
V
CC
= 3.0 V
—
-12
Max. Address Access Time (ns)
100
120
Max. CE Access Time (ns)
100
120
Max. OE Access Time (ns)
40
50
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
V
SS
V
CC
WE
CE
OE
A
0
to A
17
Erase Voltage
Generator
DQ
0
to DQ
15
State
Control
Command
Register
Program Voltage
Generator
Low V
CC
Detector
Address
Latch
X-Decoder
Y-Decoder
Cell Matrix
Y-Gating
Chip Enable
Output Enable
Logic
Data Latch
Input/Output
Buffers
STB
STB
Timer for
Program/Erase
A
-1
BYTE
RESET
RY/BY
Buffer
RY/BY
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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