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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MBM29LV400B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲(chǔ)器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲(chǔ)器） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 29/51頁(yè) |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-10 |
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29
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
Write/Erase/Program Operations
Alternate CE Controlled Writes
Note:
This does not include the preprogramming time.
Parameter Symbols
Description
-10
-12
Unit
JEDEC
Standard
t
AVAV
t
WC
Write Cycle Time
Min.
100
120
ns
t
AVEL
t
AS
Address Setup Time
Min.
0
0
ns
t
ELAX
t
AH
Address Hold Time
Min.
50
50
ns
t
DVEH
t
DS
Data Setup Time
Min.
50
50
ns
t
EHDX
t
DH
Data Hold Time
Min.
0
0
ns
—
t
OES
Output Enable Setup Time
Min.
0
0
ns
—
t
OEH
Output Enable
Hold Time
Read
Min.
0
0
ns
Toggle and Data Polling
Min.
10
10
ns
t
GHEL
t
GHEL
Read Recover Time Before Write
Min.
0
0
ns
t
WLEL
t
WS
WE Setup Time
Min.
0
0
ns
t
EHWH
t
WH
WE Hold Time
Min.
0
0
ns
t
ELEH
t
CP
CE Pulse Width
Min.
50
50
ns
t
EHEL
t
CPH
CE Pulse Width High
Min.
30
30
ns
t
WHWH1
t
WHWH1
Byte Programming Operation
Typ.
8
8
μ
s
t
WHWH2
t
WHWH2
Sector Erase Operation (Note)
Typ.
1
1
sec
—
t
VCS
V
CC
Setup Time
Min.
50
50
μ
s
—
t
RB
Recover Time From RY/BY
Min.
0
0
ns
—
t
RP
RESET Pulse Width
Min.
500
500
ns
—
t
RH
RESET Hold Time Before Read
Min.
500
500
ns
—
t
FLQZ
BYTE Switching Low to Output High-Z
Max.
30
40
ns
—
t
BUSY
Program/Erase Valid to RY/BY Delay
Min.
90
90
ns
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲(chǔ)器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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參數(shù)描述 |
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