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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 43/51頁 |
| 文件大小： | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-10 |
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43
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
Fail
DQ
6
= Toggle
Yes
No
DQ
6
= Toggle
DQ
5
= 1
Pass
Yes
No
No
Yes
Start
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = “H” or “L”
Read Byte
(DQ
0
to DQ
7
)
Addr. = “H” or “L”
Figure 21 Toggle Bit Algorithm
Note:
DQ
6
is rechecked even if DQ
5
= “1” because DQ
6
may stop toggling at the same time as DQ
5
changing to “1”.
VA = Byte address for programming
= Any of the sector addresses
within the sector being erased
during sector erase or multiple
sector erases operation.
= XXXXH during sector erase or
multiple sector erases
operation.
= Any of the sector addresses
within the sector not being
protected during sector erase
or multiple sector erases
operation.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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