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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 46/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-10 |
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46
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
I
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
I
TSOP PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz
I
SOP PIN CAPACITANCE
Note: Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz
I
SON PIN CAPACITANCE
Note:
Test conditions T
A
= 25
°
C, f = 1.0 MHz
Parameter
Limits
Unit
Comment
Min.
Typ.
Max.
Sector Erase Time
—
1
15
sec
Excludes programming time
prior to erasure
Word Programming Time
—
16
5200
μ
s
Excludes system-level
overhead
Byte Programming Time
—
8
3600
Chip Programming Time
—
4.2
T.B.D
sec
Excludes system-level
overhead
Erase/Program Cycle
100,000
—
—
Cycles
—
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
12.5
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
12.5
pF
Parameter
Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ.
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8
10
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
9.5
12.5
pF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
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