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參數(shù)資料
| 型號： | MBM29LV400B-10 |
| 廠商： | Fujitsu Limited |
| 英文描述： | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| 中文描述： | 的CMOS 4分（為512k × 8/256K × 16）Falsh存儲器（為512k × 8/256K × 16位單5V的電源電壓閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 9/51頁 |
| 文件大?。?/td> | 498K |
| 代理商： | MBM29LV400B-10 |
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9
MBM29LV400T
-10/-12
/MBM29LV400B
-10/-12
Legend:
L = V
IL
, H = V
IH
, X = V
IL
or V
IH
,
= Pulse Input. See DC Characteristics for voltage levels.
Notes:
1. Manufacturer and device codes may also be accessed via a command register write sequence. Refer
to Table 7.
2. WE can be V
IL
if OE is V
IL
, OE at V
IH
initiates the write operations.
3. Refer to the section on Sector Protection.
4. V
CC
= 3.3
±
10%
Table 2 MBM29LV400T/400B User Bus Operations (BYTE = V
IH
)
Operation
CE
OE
WE
A
0
A
1
A
6
A
9
DQ
0
to DQ
15
RESET
Auto-Select Manufacturer Code (1)
L
L
H
L
L
L
V
ID
Code
H
Auto-Select Device Code (1)
L
L
H
H
L
L
V
ID
Code
H
Read (2)
L
L
H
A
0
A
1
A
6
A
9
D
OUT
H
Standby
H
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
H
Output Disable
L
H
H
X
X
X
X
HIGH-Z
H
Write
L
H
L
A
0
A
1
A
6
A
9
D
IN
H
Enable Sector Protection (3), (4)
L
V
ID
L
H
L
V
ID
X
H
Verify Sector Protection (3), (4)
L
L
H
L
H
L
V
ID
Code
H
Temporary Sector Unprotection
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
Reset (Hardware)/Standby
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
L
Table 3 MBM29LV400T/400B User Bus Operations (BYTE = V
IL
)
Operation
CE
OE
WE
DQ
15
/A
-1
A
0
A
1
A
6
A
9
DQ
0
to DQ
7
RESET
Auto-Select Manufacturer Code (1)
L
L
H
L
L
L
L
V
ID
Code
H
Auto-Select Device Code (1)
L
L
H
L
H
L
L
V
ID
Code
H
Read (2)
L
L
H
A
-1
A
0
A
1
A
6
A
9
D
OUT
H
Standby
H
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
H
Output Disable
L
H
H
X
X
X
X
X
HIGH-Z
H
Write
L
H
L
A
-1
A
0
A
1
A
6
A
9
D
IN
H
Enable Sector Protection (3), (4)
L
V
ID
L
L
H
L
V
ID
X
H
Verify Sector Protection (3), (4)
L
L
H
L
L
H
L
V
ID
Code
H
Temporary Sector Unprotection
X
X
X
X
X
X
X
X
X
V
ID
Reset (Hardware)/Standby
X
X
X
X
X
X
X
X
HIGH-Z
L
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MBM29LV400B | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400T | CMOS 4M (512K ×8/256K×16) Falsh Memory(512K ×8/256K×16位 單5V 電源電壓閃速存儲器) |
| MBM29LV400TC-90 | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PBT | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400TC-90PF | 4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MBM29LV400BC | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12 | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PBT | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PCV | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
| MBM29LV400BC-12PF | 制造商:FUJITSU 制造商全稱:Fujitsu Component Limited. 功能描述:4M (512K X 8/256K X 16) BIT |
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