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參數(shù)資料
| 型號： | P60ARM-IG |
| 廠商： | Zarlink Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | Low power, general purpose 32-bit RISC microprocessor |
| 中文描述： | 低功耗，通用32位RISC微處理器 |
| 文件頁數(shù)： | 70/120頁 |
| 文件大小： | 1275K |
| 代理商： | P60ARM-IG |
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P60ARM-B
66
Figure 29: ARM Memory Cycle Timing
When an S-cycle follows an N-cycle, the address will always be one word greater than the address used in
the N-cycle. This address (marked òaó in the above diagram) should be checked to ensure that it is not the
last in the DRAM page before the memory system commits to the S-cycle. If it is at the page end, the S-cycle
cannot be performed in page mode and the memory system will have to perform a full access.
The processor clock must be stretched to match the full access. When an S-cycle follows an I- or C-cycle, the
address will be the same as that used in the I- or C-cycle. This fact may be used to start the DRAM access
during the preceding cycle, which enables the S-cycle to run at page mode speed whilst performing a full
DRAM access. This is shown in
Figure 30: Memory Cycle Optimization
.
5.2 Byte addressing
The processor address bus gives byte addresses, but instructions are always words (where a word is 4
bytes) and data quantities are usually words. Single data transfers (LDR and STR) can, however, specify
that a byte quantity is required. The
nBW
control line is used to request a byte from the memory system;
normally it is HIGH, signifying a request for a word quantity, and it goes LOW during phase 2 of the
preceding cycle to request a byte transfer.
When the processor is fetching an instruction from memory, the state of the bottom two address lines
is undefined.
A[1:0]
When a byte is requested in a read transfer (LDRB), the memory system can safely ignore that the request
is for a byte quantity and present the whole word.
ARM60 will perform the byte extraction internally. Alternatively, the memory system may activate only the
addressed byte of the memory. This may be desirable in order to save power, or to enable the use of a
common decoding system for both read and write cycles.
MCLK
A[31:0]
nMREQ
SEQ
nCAS
a
a+4
I-cycle
S-cycle
C-cycle
N-cycle
nRAS
D[31:0]
a+8
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P60ARM-B | Low power, general purpose 32-bit RISC microprocessor |
| P60A | 60W DC-DC Converter P60A-Series |
| P60A12D05P | 60W DC-DC Converter P60A-Series |
| P60A12D12P | 60W DC-DC Converter P60A-Series |
| P60A12D15P | 60W DC-DC Converter P60A-Series |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| P-60AS/A18 | 功能描述:BATTERY NICAD 2/3A 600MAH W/TAB RoHS:否 類別:電池產(chǎn)品 >> 電池，充電式（蓄電池） 系列:- MSDS 材料安全數(shù)據(jù)表:Nickel Metal Hydride Battery MSDS 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:TWICELL 電池化學(xué):鎳金屬氫化物 電池大小:AAA 電壓 - 額定:1.2V 容量:930mAh 尺寸/尺寸:- 端接類型:焊片 放電速率:186mA 標(biāo)準(zhǔn)充電電流:100mA 標(biāo)準(zhǔn)充電時間:16小時 重量:0.029 磅（13.15g） 裝運(yùn)信息:- 其它名稱:SY153T |
| P60AS302 | 制造商:APEM 功能描述: |
| P60AS632-8C | 制造商:NYLOK 功能描述: |
| P60AS701 | 功能描述:旋鈕開關(guān) 10POS BCD 0.15A 24V RoHS:否 制造商:C&K Components 位置數(shù)量:5 卡片組數(shù)量: 每卡片組極數(shù):2 電流額定值:250 mA 電壓額定值:125 V 指數(shù)角: 觸點類型: 觸點形式:DPST 端接類型:Solder 安裝類型:Panel 觸點電鍍:Silver |
| P60AS701TR | 功能描述:旋鈕開關(guān) 10POS 0.15A 24VDC RoHS:否 制造商:C&K Components 位置數(shù)量:5 卡片組數(shù)量: 每卡片組極數(shù):2 電流額定值:250 mA 電壓額定值:125 V 指數(shù)角: 觸點類型: 觸點形式:DPST 端接類型:Solder 安裝類型:Panel 觸點電鍍:Silver |
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