參數(shù)資料
型號： PH5330
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 50 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁數(shù)： 4/12頁
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代理商： PH5330
Philips Semiconductors
PH5330
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 18 July 2003
4 of 12
9397 750 10951
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
3.2
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ag86
10
-2
10
-1
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
t
p
(s)
Z
th(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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