參數(shù)資料
型號(hào)： PH5330
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 50 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 6/12頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： PH5330
Philips Semiconductors
PH5330
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 18 July 2003
6 of 12
9397 750 10951
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ag89
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
5
V
DS
(V)
I
D
(A)
3.5 V
V
GS
= 3 V
10 V
4 V
4.5 V
03ag90
0
20
40
60
80
0
1
2
3
4
V
GS
(V)
I
D
(A)
V
DS
> I
D
x R
DSon
T
j
= 25 oC
150 oC
03ag95
0
0.01
0.02
0.03
0
20
40
60
I
D
(A)
R
DSon
(
)
3 V
V
GS
= 3.5 V
4.5 V
10 V
4 V
03ah32
0
0.6
1.2
1.8
-80
-20
40
100
160
Tj (
°
C)
a
a
R
DSon 25 C
°
)
---------------------------
=
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PDF描述
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