參數(shù)資料
型號(hào)： PH5330
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 50 A, 30 V, 0.01 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： PLASTIC, LFPAK-5
文件頁(yè)數(shù)： 9/12頁(yè)
文件大小： 239K
代理商： PH5330
Philips Semiconductors
PH5330
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 02 — 18 July 2003
9 of 12
9397 750 10951
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 15. SOT669 (LFPAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT669
MO-235
02-07-10
03-02-05
0
2.5
5 mm
scale
e
E1
b
c2
A2
A2
b
c
A
e
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
mm
1.10
0.95
A3
A1
0.15
0.00
1.20
1.01
0.50
0.35
b2
4.41
3.62
0.25
0.19
c2
0.30
0.24
4.10
3.80
6.2
5.8
H
1.3
0.8
L2
0.85
0.40
L
1.3
0.8
L1
8
°
0
°
w
y
D
(1)
5.0
4.8
E
(1)
3.3
3.1
E1
(1)
D1
(1)
max
0.25
4.20
1.27
0.25
0.1
1
2
3
4
mounting
base
D1
c
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version LFPAK); 4 leads
SOT669
E
b2
H
D
L2
L1
A
A
w
M
C
C
X
1/2
e
y C
θ
θ
(A )
3
L
A
A1
detail X
Note
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
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