參數(shù)資料
型號(hào)： PHD55N04LT
英文描述： Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C
中文描述： 晶體管| MOSFET的| N溝道| 35V的五（巴西）直| 55A條（?。﹟對(duì)252AA
文件頁(yè)數(shù)： 5/11頁(yè)
文件大?。?/td> 117K
代理商： PHD55N04LT
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP55N04LT, PHB55N04LT
PHD55N04LT
Fig.11. Sub-threshold drain current.
I
D
= f(V
GS)
; conditions: T
j
= 25 C; V
DS
= V
GS
Fig.12. Typical capacitances, C
, C
, C
.
C = f(V
DS
); conditions: V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Drain current, ID (A)
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
1.0E-01
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
Gate-source voltage, VGS (V)
minimum
typical
maximum
VDS = 5 V
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 55A
Tj = 25 C
VDD = 15 V
100
1000
10000
0.1
1
10
100
Drain-Source Voltage, VDS (V)
Capacitances, Ciss, Coss, Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
January 2001
5
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP55N04LT TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB
PHB55N04LT RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS
PHB55N03 TrenchMOS transistor Standard level FET
PHB55N03T TrenchMOS transistor Standard level FET
PHD6N10E PowerMOS transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHD5N20E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor
PHD63NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK
PHD63NQ03LT,118 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHD63NQ03LT 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK
PHD63NQ03LT/T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*