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參數(shù)資料
| 型號： | PHD55N04LT |
| 英文描述： | Triple 1.8V to 6V High-Side MOSFET Drivers; Package: PDIP; No of Pins: 8; Temperature Range: 0°C to +70°C |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 35V的五（巴西）直| 55A條（丁）|對252AA |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 117K |
| 代理商： | PHD55N04LT |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHP55N04LT, PHB55N04LT
PHD55N04LT
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.17. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
.
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
January 2001
8
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP55N04LT | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 35V V(BR)DSS | 55A I(D) | TO-220AB |
| PHB55N04LT | RADIATION HARDENED HIGH EFFICIENCY, 5 AMP SWITCHING REGULATORS |
| PHB55N03 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHB55N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHD6N10E | PowerMOS transistor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD5N20E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHD63NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK |
| PHD63NQ03LT,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD63NQ03LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V D-PAK |
| PHD63NQ03LT/T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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