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參數(shù)資料
| 型號： | RC28F128P33T85 |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64 |
| 封裝： | BGA-64 |
| 文件頁數(shù)： | 21/96頁 |
| 文件大?。?/td> | 1378K |
| 代理商： | RC28F128P33T85 |
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Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Datasheet
November 2007
28
Order Number: 314749-05
6.2
DC Voltage Characteristics
IPPW
VPP Program Current
0.05
0.10
0.05
0.10
mA
VPP = VPPL, program in progress
-
822
8
22
VPP = VPPH, program in progress
IPPE
VPP Erase Current
0.05
0.10
0.05
0.10
mA
VPP = VPPL, erase in progress
-
822
8
22
VPP = VPPH, erase in progress
Notes:
1.
All currents are RMS unless noted. Typical values at typical VCC, TC = +25 °C.
2.
ICCS is the average current measured over any 5 ms time interval 5 s after CE# is deasserted.
3.
Sampled, not 100% tested.
4.
ICCES is specified with the device deselected. If device is read while in erase suspend, current is ICCES plus ICCR.
5.
Table 14: DC Voltage Characteristics
Sym
Parameter
CMOS Inputs
(VCCQ = 2.3 V – 3.6 V)
TTL Inputs (1)
(VCCQ = 2.4 V – 3.6 V)
Unit
Test Condition
Notes
Min
Max
Min
Max
VIL
Input Low Voltage
0
0.400.6
V
2
VIH
Input High Voltage
VCCQ – 0.4 V
VCCQ
2.0
VCCQ
V
VOL
Output Low Voltage
-
0.1
-
0.1
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOL = 100 A
-
VOH
Output High Voltage
VCCQ – 0.1
-
VCCQ – 0.1
-
V
VCC = VCCMin
VCCQ = VCCQMin
IOH = –100 A
-
VPPLK
VPP Lock-Out Voltage
-
0.4
-
0.4
V
3
VLKO
1.5
-
1.5
-
V
-
VLKOQ
VCCQ Lock Voltage
0.9
-
0.9
-
V
-
Notes:
1.
Synchronous read mode is not supported with TTL inputs.
2.
VIL can undershoot to –0.4 V and VIH can overshoot to VCCQ + 0.4 V for durations of 20 ns or less.
3.
VPP ≤ VPPLK inhibits erase and program operations. Do not use VPPL and VPPH outside their valid ranges.
Table 13: DC Current Characteristics (Sheet 2 of 2)
Sym
Parameter
CMOS
Inputs
(VCCQ =
2.3 V - 3.6
V)
TTL Inputs
(VCCQ =
2.4 V - 3.6
V)
Unit
Test Conditions
Notes
Typ
Max
Typ
Max
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RC28F256P33T85A | 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64 |
| RC28F160C3TC90 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64 |
| RC28F160C3BD70 | 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64 |
| RC4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
| RM4194K | DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| RC28F128P33TF60 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx?? P33-65nm Flash Memory |
| RC28F128P33TF60A | 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:StrataFlash™ 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| RC28F128P3GB850 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays |
| RC28F128P3GT850 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays |
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