參數(shù)資料
型號(hào)： RC28F128P33T85
廠商： NUMONYX
元件分類： PROM
英文描述： 8M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
封裝： BGA-64
文件頁(yè)數(shù)： 33/96頁(yè)
文件大?。?/td> 1378K
代理商： RC28F128P33T85
November 2007
Datasheet
Order Number: 314749-05
39
Numonyx StrataFlash Embedded Memory (P33)
Note:
WAIT shown deasserted and High-Z per OE# deassertion during write operation (RCR 10=0, WAIT asserted low).
7.5
Program and Erase Characteristics
Figure 25: Write-to-Synchronous Read Timing
Table 20: Program and Erase Specifications
Num
Symbol
Parameter
VPPL
VPPH
Unit
Note
s
Min
Typ
Max
Min
Typ
Max
Conventional Word Programming
W200
tPROG/W
Program
Time
Single word - 130nm
-
90
200
-
85
190
s
1
Single word - 65nm
-
125
150
-
125
150
Single cell
-
30
60
-
30
60
Buffered Programming
W200
tPROG/W
Program
Time
Single word
-
90
200
-
85
190
s
1
W251
tBUFF
32-word buffer
-
440
880
-
340
680
Buffered Enhanced Factory Programming
W451
tBEFP/W
Program
Single word
n/a
-
10
-
s
1,2
W452
tBEFP/Setup
BEFP Setup
n/a
5
-
1
Erase and Suspend
D
Q
W1
R304
R305
R304
R3
W7
W4
R307
R15
R4
W20
W19
W18
W3
R11
R303
R11
W6
W2
R104
R106
R104
R306
W8
W5
R302
R301
R2
CLK
Address [A]
ADV#
CE# [E}
WE# [W]
OE# [G]
WAIT [T]
Data [D/Q]
RST# [P]
相關(guān)PDF資料
PDF描述
RC28F256P33T85A 16M X 16 FLASH 3V PROM, 85 ns, PBGA64
RC28F160C3TC90 1M X 16 FLASH 3V PROM, 90 ns, PBGA64
RC28F160C3BD70 1M X 16 FLASH 3V PROM, 70 ns, PBGA64
RC4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
RM4194K DUAL OUTPUT, ADJUSTABLE MIXED REGULATOR, MBFM9
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
RC28F128P33T85A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR)
RC28F128P33TF60 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:Numonyx?? P33-65nm Flash Memory
RC28F128P33TF60A 功能描述:IC FLASH 128MBIT 85NS 64EZBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:StrataFlash™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤
RC28F128P3GB850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
RC28F128P3GT850 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:128MB, KEARNY EBGA 3.0 - Trays
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