- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄18712 > SI4113M-EVB (Silicon Laboratories Inc)BOARD EVALUATION FOR SI4113 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | SI4113M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁數(shù)： | 12/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| 標準包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關產(chǎn)品： | SI4113 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1100 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁當前第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁
Si4133
2
Rev. 1.61
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
| GLEB24B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
| DR7002-DK | 3G DEVELOPMENT KIT 418 MHZ |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4114DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| Si4114DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114G-B-GM | 功能描述:射頻無線雜項 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。