參數(shù)資料
型號： SI4113M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 2/36頁
文件大小： 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4113
標準包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關產(chǎn)品： SI4113
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1100
Si4133
10
Rev. 1.61
Figure 4. Software Power Management Timing Diagram
Figure 5. Hardware Power Management Timing Diagram
PDIB = 0
PDRB = 0
PDIB = 1
PDRB = 1
t
pup
t
pdn
I
T
I
PWDN
SEN
SDATA
RF and IF synthesizers settled to
within 0.1 ppm frequency error.
t
pup
t
pdn
I
T
I
PWDN
RF and IF synthesizers settled to
within 0.1 ppm frequency error.
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參數(shù)描述
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Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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