參數(shù)資料
型號(hào): SI4113M-EVB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁(yè)數(shù): 26/36頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: BOARD EVALUATION FOR SI4113
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
類型: 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品: SI4113
已供物品: 板,CD
其它名稱: 336-1100
Si4133
32
Rev. 1.61
9. Package Outline: Si4133-GT
Figure 19 illustrates the package details for the Si4133-GT. Table 16 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 19. 24-Pin Thin Shrink Small Outline Package (TSSOP)
Table 16. Package Diagram Dimensions
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
A—
1.20
A1
0.05
0.15
b
0.19
0.30
c
0.09
0.20
D
7.70
7.80
7.90
e
0.65 BSC
E
6.40 BSC
E1
4.30
4.40
4.50
L
0.45
0.60
0.75
10°
bbb
0.10
ddd
0.20
L
1
c
D
A1
A
b
E1 E
e
See Detail G
Detail G
12
3
ddd CB A
A
C
24
bbb
CB A
M
B
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4114DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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Si4114G-B-GM 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel