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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI4113M-EVB |
| 廠商： | Silicon Laboratories Inc |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/36頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVALUATION FOR SI4113 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 類型： | 合成器 |
| 適用于相關(guān)產(chǎn)品： | SI4113 |
| 已供物品： | 板，CD |
| 其它名稱： | 336-1100 |
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Si4133
Rev. 1.61
11
Figure 6. Typical Transient Response RF1 at 1.6 GHz
with 200 kHz Phase Detector Update Frequency
A Marker
174.04471
us
711.00
Hz
TRACE A: Ch1 FM Main Time
1.424
kHz
Real
160
Hz
/div
176
Hz
Start: 0 s
Stop: 399.6003996 us
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GLAA01A | SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT |
| EK64904-11 | KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES |
| GLEB24B | SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT |
| ZMN2405HPDB-C | ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT |
| DR7002-DK | 3G DEVELOPMENT KIT 418 MHZ |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4114DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| SI4114DY_09 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET |
| Si4114DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114DY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si4114G-B-GM | 功能描述:射頻無(wú)線雜項(xiàng) GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel |
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