參數(shù)資料
型號： SI4113M-EVB
廠商： Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù)： 6/36頁
文件大小： 0K
描述： BOARD EVALUATION FOR SI4113
標準包裝： 1
類型： 合成器
適用于相關產(chǎn)品： SI4113
已供物品： 板，CD
其它名稱： 336-1100
Si4133
14
Rev. 1.61
Figure 11. Typical IF Phase Noise at 550 MHz
with 200 kHz Phase Detector Update Frequency
Figure 12. IF Spurious Response at 550 MHz
with 200 kHz Phase Detector Update Frequency
10
2
10
3
10
4
10
5
10
6
150
140
130
120
110
100
90
80
70
Offset Frequency (Hz)
Phase
Noise
(dBc/Hz)
相關PDF資料
PDF描述
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
GLEB24B SWITCH TOP PLUNGER SNAP DPDT
ZMN2405HPDB-C ADDITIONAL ZMN2405HP DEVELOPMENT
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
SI4114DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4114DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4114G-B-GM 功能描述:射頻無線雜項 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel
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