參數(shù)資料
型號: SI4113M-EVB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 27/36頁
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描述: BOARD EVALUATION FOR SI4113
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
類型: 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品: SI4113
已供物品: 板,CD
其它名稱: 336-1100
Si4133
Rev. 1.61
33
10. Package Outline: Si4133-GM
Figure 20 illustrates the package details for the Si4133-GM. Table 17 lists the values for the dimensions shown in
the illustration.
Figure 20. 28-Pin Quad Flat No-Lead (QFN)
Table 17. Package Dimensions
Symbol
Millimeters
Symbol
Millimeters
Min
Nom
Max
Min
Nom
Max
A
0.80
0.85
0.90
L
0.50
0.60
0.70
A1
0.00
0.01
0.05
aaa
0.10
b
0.18
0.23
0.30
bbb
0.10
D, E
5.00 BSC
ccc
0.05
e
0.50 BSC
ddd
0.10
D2, E2
2.55
2.70
2.85
——
12
Notes:
1. Dimensioning and tolerancing per ANSI Y14.5M-1994.
2. This package outline conforms to JEDEC MS-220, variant VHHD-1.
3. Recommended card reflow profile is per the JEDEC/IPC J-STD-020B specification for Small Body
Components.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GLAA01A SWITCH SIDE-ROTRY SNAP SPDT
EK64904-11 KIT EVAL FOR 64904 W/CABLES
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4114DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4114DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4114G-B-GM 功能描述:射頻無線雜項(xiàng) GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel