參數(shù)資料
型號: SI4113M-EVB
廠商: Silicon Laboratories Inc
文件頁數(shù): 34/36頁
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描述: BOARD EVALUATION FOR SI4113
標準包裝: 1
類型: 合成器
適用于相關(guān)產(chǎn)品: SI4113
已供物品: 板,CD
其它名稱: 336-1100
Si4133
Rev. 1.61
7
Figure 2. Serial Interface Timing Diagram
Figure 3. Serial Word Format
D17
D16
D15
A1
A0
t
su
t
en1
t
hol d
t
w
t
en2
t
en3
SCLK
SDATA
SENB
D
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D
16
D
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D
14
D
13
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D
11
D
10
D
9
D
8
D
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6
D
5
D
4
D
3
D
2
D
1
D
0
A
3
A
2
A
1
A
0
data
field
addres s
field
Firs t bit
cloc k ed in
Las t bit
clocked in
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI4114DY_09 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
Si4114DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4114DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 20A 5.7W 6.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
Si4114G-B-GM 功能描述:射頻無線雜項 GSM Freq Synthesizr for Dir Conversn RoHS:否 制造商:Texas Instruments 工作頻率:112 kHz to 205 kHz 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:3 V 電源電流:8 mA 最大功率耗散: 工作溫度范圍:- 40 C to + 110 C 封裝 / 箱體:VQFN-48 封裝:Reel