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參數(shù)資料
| 型號： | SIS5595 |
| 廠商： | Electronic Theatre Controls, Inc. |
| 英文描述： | Pentium PCI System I/O Chipset |
| 中文描述： | 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 129/216頁 |
| 文件大小： | 2208K |
| 代理商： | SIS5595 |
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 123 Silicon Integrated Systems Corporation
5
R/W
SMI# Enable--Floppy port Access
When set, any I/O access to the port 3F0-3F7h, 370-377h or an
active DREQ2 event will generate the SMI#.
SMI# Enable--Primary IDE Channel Device 1 Access
When set, any I/O access to the address associated with the
primary IDE channel device 1 will generate the SMI#.
SMI# Enable--Secondary IDE Channel Device 1 Access
When set, any I/O access to the address associated with the
secondary IDE channel device 1 will generate the SMI#.
SMI# Enable—APM
When this bit and Reg. 64h~67h, bit 2 are both set, a SMI# will
be generated.
Reserved.
These bits must be programmed to 0.
4
R/W
3
R/W
2
R/W
1:0
R/W
Register 64h - 67hSMI#/SCI Request Status
Default Value : 00000000h
Access :
Read/Write
The SMI#/SCI request status bit will be set when the associated event is active. The status
bit can be cleared by writing a 1.
BIT
ACCESS
31
R/W
System Standby Timer 0 Status
This bit is set when the System Standby Timer 0 expires.
30
R/W
System Standby Timer 1 Status
This bit is set when the System Standby Timer 1 expires.
29
R/W
System Standby Timer 2 Status
This bit is set when the System Standby Timer 2 expires.
28
R/W
Wake-up 0 Status
This bit is set when any un-masked wake-up events for Wake up
0 SMI# enable is active
27
R/W
Wake-up 1 Status
This bit is set when any un-masked wake-up events for Wake up
1 SMI# enable is active
26
R/W
Reserved.
This bit must be programmed to 0.
25
R/W
Primary IDE channel Device 0 Status
This bit is set when the primary IDE channel device 0 is
accessed.
24
R/W
Secondary IDE channel Device 0 Status
This bit is set when the secondary IDE channel device 0 is
accessed.
DESCRIPTION
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIS85 | SMT Power Inductor |
| SIS85-100 | SMT Power Inductor |
| SIS85-101 | SMT Power Inductor |
| SIS85-102 | SMT Power Inductor |
| SIS85-150 | SMT Power Inductor |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIS776DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SIS776DN-T1-GE3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8 |
| SiS778DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SIS780DN | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode |
| SiS780DN-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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