參數(shù)資料
型號(hào)： SIS5595
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Pentium PCI System I/O Chipset
中文描述： 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片
文件頁(yè)數(shù)： 149/216頁(yè)
文件大?。?/td> 2208K
代理商： SIS5595
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 143 Silicon Integrated Systems Corporation
26
R/W
GPIO3 Enable (GPIO3_EN)
The Enable bit of GPIO3, when GPIO3_STS and GPIO3_EN are
set, a power management event is raised.
GPIO9 Enable (GPIO9_EN)
The Enable bit of GPIO9, when GPIO9_STS and GPIO9_EN are
set, a power management event is raised.
GPIO8 Enable (GPIO8_EN)
The Enable bit of GPIO8, when GPIO8_STS and GPIO8_EN are
set, a power management event is raised.
GPIO2 Enable (GPIO2_EN)
The Enable bit of GPIO2, when GPIO2_STS and GPIO2_EN are
set, a power management event is raised.
Reserved
GPIO1 Enable (GPIO1_EN)
The Enable bit of GPIO1, when GPIO1_STS and GPIO1_EN are
set, a power management event is raised.
GPIO0 Enable (GPIO0_EN)
The Enable bit of GPIO0, when GPIO0_STS and GPIO0_EN are
set, a power management event is raised.
GPIO17 Enable (GPIO17_EN)
The Enable bit of GPIO17, when GPIO17_STS and GPIO17_EN
are set, a power management event is raised.
GPIO16 Enable (GPIO16_EN)
The Enable bit of GPIO16, when GPIO16_STS and GPIO16_EN
are set, a power management event is raised.
GPIO7 Enable (GPIO7_EN)
The Enable bit of GPIO7, when GPIO7_STS and GPIO7_EN are
set, a power management event is raised.
PMU Enable (PMU_EN)
When a acitve power management event enabled by PMU
register 80h~83h and this bit is set, a power management event
will be raised.
SMBus Enable (SMB_EN)
When SMB_EN and SMB_STS are set, a power management
event is raised.
General Purpose Timer Enable (GPTMR_EN)
When GPTIMER_STS and GPTIMER_EN are set, a power
management event is raised.
Serial IRQ SMI# Enable Enable (SIRQ_EN)
When SIRQ_STS and SIRQ_EN are set, a
SMI#
event is raised.
USB Enable (USB_EN)
When USB_EN and USB_STS are set, a power management
event is raised.
25
R/W
24
R/W
23
R/W
22:18
17
R/W
R/W
16
R/W
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12
R/W
11
R/W
10
R/W
9
R/W
8
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SIS776DN-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8
SiS778DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIS780DN 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SiS780DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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