參數(shù)資料
型號(hào)： SIS5595
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： Pentium PCI System I/O Chipset
中文描述： 奔騰的PCI系統(tǒng)I / O芯片
文件頁(yè)數(shù)： 141/216頁(yè)
文件大?。?/td> 2208K
代理商： SIS5595
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SiS5595 PCI System I/O Chipset
Preliminary V2.0 Nov. 2, 1998 135 Silicon Integrated Systems Corporation
10
R/W
RTC Status (RTC_STS)
This bit is set when the RTC generates an alarm
o
o
r
r
s
s
e
e
t
t
b
b
y
y
a
a
s
s
p
p
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I
I
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r
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g
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i
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s
t
t
e
e
r
r
3
3
8
8
h
h
a
a
n
n
d
d
3
3
9
9
h
h
.
.
While both RTC_EN bit and RTC_STS bit are set, a power
management event is raised(SCI, SMI# or WAKE event). This bit
is only set by hardware and only reset by software writing a “1”
to this bit position.
Reserved.
Power Button Status (PWRBTN_STS)
This bit is set when the power button is pressed (the PWRBT#
signal is asserted Low)
or set by a specific programming
sequenc to APCI register 38h and 39h. In the working state,
while both PWRBTN_STS bit and PWRBTN_EN bit are set,then
a SCI or SMI# is raised. In the sleeping state, while
PWRBTN_STS bit is set then a WAKE event is generated. This
bit is only set by hardware and can only be reset by software
writing a “1” to this bit position.
Reserved.
Global Status (GBL_STS)
This bit is set by a BIOS-initiated SCI. BIOS can initiate a SCI by
programming Register 13h bit 1 to 1.
Bus Master Status(BM_STS)
This is the bus master status bit. This bit is set when a system
bus master is requesting the system bus, and can only be
cleared by writing a “1” to this bit position.
Reserved
Power Management Timer Status (TMR_STS)
Power management timer status or DOZE timer status. The free
running timer will be DOZE timer when the Offset Register 2A bit
9 is set to 1 and SCI_EN bit is set to 0. It will be the power
management timer otherwise. If the most significant bit of the 24-
bit timer is changed from '1' to '0' or '0' to '1', then the TMR_STS
bit will be set. While TMR_STS bit and TMR_EN bit are set, a
power management event (SCI or SMI#) is raised. It can only be
cleared by writing a '1' to this bit position.
9
8
RO
R/W
7:6
5
RO
R/W
4
R/W
3:1
0
RO
R/W
Register 02h
Power Management Resume Enable Register(PM1_EN)
Default Value: 0000h
Access:Read/Write
BIT
15:11
ACCESS
RO
DESCRIPTION
Reserved
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SIS776DN-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CH 30V 18.3A 1212-8
SiS778DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 35 Amps 52 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SIS780DN 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SiS780DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30 Volts 18 Amps 27.7 Watts RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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