參數(shù)資料
型號(hào)： SPI20N60C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 6/14頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： SPI20N60C3
2003-10-08
Page 6
SPP20N60C3, SPB20N60C3
SPI20N60C3, SPA20N60C3
Final data
5 Transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter:
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
K/W
Z
t
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
single pulse
6 Transient thermal impedance FullPAK
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter:
D
=
t
p
/
t
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
1
s
t
p
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
Z
t
D = 0.5
D = 0.2
D = 0.1
D = 0.05
D = 0.02
D = 0.01
single pulse
7 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=25°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
5
10
15
V
25
V
DS
0
10
20
30
40
50
60
A
80
I
D
4,5V
5V
5,5V
6V
6,5V
7V
20V
10V
8V
8 Typ. output characteristic
I
D
=
f
(
V
DS
);
T
j
=150°C
parameter:
t
p
= 10 μs,
V
GS
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20 22
V
25
V
DS
0
5
10
15
20
25
30
35
A
45
I
D
4.5V
5V
5.5V
6V
20V
10V
7V
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PDF描述
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