參數(shù)資料
型號： SPI20N60C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 8/14頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： SPI20N60C3
2003-10-08
Page 8
SPP20N60C3, SPB20N60C3
SPI20N60C3, SPA20N60C3
Final data
13 Forward characteristics of body diode
I
F
=
f
(V
SD
)
parameter:
T
j , t
p
= 10 μs
2
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
A
SPP20N60C3
I
F
T
j
= 25 °C typ
T
j
= 150 °C typ
T
j
= 25 °C (98%)
T
j
= 150 °C (98%)
14 Typ. switching time
t
=
f
(
I
D
), inductive load,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
R
G
=3.6
0
4
8
12
16
A
24
I
D
0
10
1
10
2
10
ns
t
tr
td(off)
td(on)
tf
15 Typ. switching time
t
=
f
(
R
G
), inductive load,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
I
D
=20.7 A
0
5
10
15
20
25
30
R
G
40
0
10
1
10
2
10
3
10
ns
t
td(off)
td(on)
tr
tf
16 Typ. drain current slope
d
i
/d
t
= f(
R
G
), inductive load,
T
j
= 125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
I
D
=20.7A
0
5
10
15
20
25
30
R
G
40
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
A/μs
5000
d
i
/
t
di/dt(on)
di/dt(off)
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PDF描述
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