參數(shù)資料
型號(hào)： SPI20N60C3
廠(chǎng)商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁(yè)數(shù)： 7/14頁(yè)
文件大?。?/td> 314K
代理商： SPI20N60C3
2003-10-08
Page 7
SPP20N60C3, SPB20N60C3
SPI20N60C3, SPA20N60C3
Final data
9 Typ. drain-source on resistance
R
DS(on)
=
f
(
I
D
)
parameter:
T
j
=150°C,
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
A
40
I
D
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.5
R
D
4V
4.5V
5V
5.5V
6V
6.5V
20V
10 Drain-source on-state resistance
R
DS(on)
=
f
(
T
j
)
parameter :
I
D
= 13.1 A,
V
GS
= 10 V
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.1
SPP20N60C3
R
D
typ
98%
11 Typ. transfer characteristics
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
DS(on)max
parameter:
t
p
= 10 μs
0
1
2
3
4
5
6
7
V
V
GS
9
0
10
20
30
40
50
60
A
80
I
D
150°C
25°C
12 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 20.7 A pulsed
0
20
40
60
80
100
nC
140
Q
Gate
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP20N60C3
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
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PDF描述
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