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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | W25Q80BVSNAP |
| 廠商： | WINBOND ELECTRONICS CORP |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 8M X 1 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8 |
| 封裝： | 0.150 INCH, GREEN, PLASTIC, SOIC-8 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 63/75頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 1055K |
| 代理商： | W25Q80BVSNAP |
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W25Q80BV
- 66 -
10.7 AC Electrical Characteristics (cont’d)
SPEC
DESCRIPTION
SYMBOL
ALT
MIN
TYP
MAX
UNIT
/HOLD Active Hold Time relative to CLK
tCHHH
5
ns
/HOLD Not Active Setup Time relative to CLK
tHHCH
5
ns
/HOLD Not Active Hold Time relative to CLK
tCHHL
5
ns
/HOLD to Output Low-Z
tHHQX(2)
tLZ
7
ns
/HOLD to Output High-Z
tHLQZ(2)
tHZ
12
ns
Write Protect Setup Time Before /CS Low
tWHSL(3)
20
ns
Write Protect Hold Time After /CS High
tSHWL(3)
100
ns
/CS High to Power-down Mode
tDP(2)
3
s
/CS High to Standby Mode without Electronic Signature
Read
tRES1(2)
3
s
/CS High to Standby Mode with Electronic Signature
Read
tRES2(2)
1.8
s
/CS High to next Instruction after Suspend
tSUS(2)
20
s
Write Status Register Time
tW
10
15
ms
Byte Program Time (First Byte) (4)
tBP1
30
50
s
Additional Byte Program Time (After First Byte) (4)
tBP2
2.5
12
s
Page Program Time
tPP
0.7
3
ms
Sector Erase Time (4KB)
tSE
30
200/400(5)
ms
Block Erase Time (32KB)
tBE1
120
800
ms
Block Erase Time (64KB)
tBE2
150
1,000
ms
Chip Erase Time
tCE
2
6
s
Notes:
1.
Clock high + Clock low must be less than or equal to 1/fC.
2.
Value guaranteed by design and/or characterization, not 100% tested in production.
3.
Only applicable as a constraint for a Write Status Register instruction when SRP[1:0]=(0,1).
4.
For multiple bytes after first byte within a page,
tBPN = tBP1 + tBP2 * N (typical) and tBPN = tBP1 + tBP2 * N (max), where N =
number of bytes programmed.
5.
Max Value tSE with <50K cycles is 200ms and >50K & <100K cycles is 400ms.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| WV3EG128M72EFSR262D3MG | 128M X 72 DDR DRAM MODULE, 0.75 ns, DMA184 |
| W7NCF08GH10CS4FM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF08GH10CSA5DM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF08GH10IS8BM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
| W7NCF08GH10ISA4HM1G | FLASH 3.3V PROM MODULE, XMA50 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| W25Q80BVSNIG | 功能描述:IC SPI FLASH 8MBIT 8SOIC RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:SpiFlash® 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:28-TSOP 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:71V256SA15PZGI8 |
| W25Q80BVSNIG TR | 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述: 制造商:Winbond Electronics Corp 功能描述:IC FLASH 8MBIT 104MHZ 8SOIC |
| W25Q80BVSNIP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSSAG | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
| W25Q80BVSSAP | 制造商:WINBOND 制造商全稱:Winbond 功能描述:8M-BIT SERIAL FLASH MEMORY WITH DUAL AND QUAD SPI |
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