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參數(shù)資料
| 型號： | 28F640J5 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 5 V Intel StrataFlash Memory(5V 64M位英特爾StrataFlash閃速存儲器) |
| 中文描述： | 5伏特英特爾StrataFlash存儲器（5V的6400位英特爾的StrataFlash閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 46/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | 28F640J5 |
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28F320J5/28F640J5
E
46
PRELIMINARY
6.5
AC Characteristics
—Read-Only Operations
(1)
Versions
5 V ± 10% V
CCQ
–120/–150
(4)
(All units in ns unless otherwise noted)
2.7 V—3.6V V
CCQ
–120/–150
(4)
#
Sym
Parameter
Notes
Min
Max
R1
t
AVAV
Read/Write Cycle Time
32 Mbit
120
64 Mbit
150
R2
t
AVQV
Address to Output Delay
32 Mbit
120
64 Mbit
150
R3
t
ELQV
CE
X
to Output Delay
32 Mbit
2
120
64 Mbit
2
150
R4
t
GLQV
OE# to Output Delay
2
50
R5
t
PHQV
RP# High to Output Delay
32 Mbit
180
64 Mbit
210
R6
t
ELQX
CE
X
to Output in Low Z
3
0
R7
t
GLQX
OE# to Output in Low Z
3
0
R8
t
EHQZ
CE
X
High to Output in High Z
3
55
R9
t
GHQZ
OE# High to Output in High Z
3
15
R10
t
OH
Output Hold from Address, CE
X
, or OE#
Change, Whichever Occurs First
3
0
R11
t
ELFL
t
ELFH
CE
X
Low to BYTE# High or Low
3
10
R12
t
FLQV
t
FHQV
BYTE# to Output Delay
1000
R13
t
FLQZ
BYTE# to Output in High Z
3
1000
R14
t
EHEL
CEx Disable Pulse Width
3
10
NOTES:
CE
X
low is defined as the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that enables the device. CE
X
high is defined at the first edge of CE
0
,
CE
1
, or CE
2
that disables the device (see Table 2, Chip Enable Truth Table.
1.
See Figure 16, AC Waveform for Read Operationsfor the maximum allowable input slew rate.
2.
OE# may be delayed up to t
-t
after the first edge of CE
0
, CE
1
, or CE
2
that enables the device (see Table 2, Chip
Enable Truth Table without impact on t
ELQV
.
3.
Sampled, not 100% tested.
4.
See Figures 13
–15,
Transient Input/Output Reference Waveform for V
= 5.0 V ±10%,
Transient Input/Output
Reference Waveform for V
CCQ
= 2.7 V –3.6 V,
and
Transient Equivalent Testing Load Circuit
for testing characteristics.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F400B3 | SMART 3 ADVANCED BOOT BLOCK WORD-WIDE |
| 28F400BL-TB | 4-MBlT (256K x 16, 512K x 8) LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BV-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8)SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F400BX-TB | 4-MBIT (256K X 16, 512K X 8) BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
| 28F410-100M1 | 4M-BIT (512K X 8) CMOS FLASH MEMORY |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| 28F640W30 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:1.8 Volt Intel Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O and SRAM (W30) |
| 28F650 | 制造商:Cinch Connectors 功能描述:1 Lug Terminal Strip |
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