2-6 Revision 11 Calculating Power Dissipation Quiescent Supply Current Power per I/O Pin Table 2" />
參數資料
型號: A3PN250-ZVQG100
廠商: Microsemi SoC
文件頁數: 28/114頁
文件大小: 0K
描述: IC FPGA NANO 250K GATES 100-VQFP
標準包裝: 90
系列: ProASIC3 nano
RAM 位總計: 36864
輸入/輸出數: 68
門數: 250000
電源電壓: 1.425 V ~ 1.575 V
安裝類型: 表面貼裝
工作溫度: 0°C ~ 70°C
封裝/外殼: 100-TQFP
供應商設備封裝: 100-VQFP(14x14)
ProASIC3 nano DC and Switching Characteristics
2-6
Revision 11
Calculating Power Dissipation
Quiescent Supply Current
Power per I/O Pin
Table 2-7 Quiescent Supply Current Characteristics
A3PN010
A3PN015
A3PN020
A3PN060
A3PN125
A3PN250
Typical (25°C)
600 A
1 mA
2 mA
3 mA
Max. (Commercial)
5 mA
10 mA
20 mA
Max. (Industrial)
8 mA
15 mA
30 mA
Note: IDD includes VCC, VPUMP, and VCCI, currents.
Table 2-8 Summary of I/O Input Buffer Power (Per Pin) – Default I/O Software Settings
VCCI (V)
Dynamic Power, PAC9 (W/MHz)1
Single-Ended
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS
3.3
16.45
3.3 V LVTTL / 3.3 V LVCMOS – Schmitt Trigger
3.3
18.93
3.3 V LVCMOS wide range2
3.3
16.45
3.3 V LVCMOS wide range – Schmitt Trigger
3.3
18.93
2.5 V LVCMOS
2.5
4.73
2.5 V LVCMOS – Schmitt Trigger
2.5
6.14
1.8 V LVCMOS
1.8
1.68
1.8 V LVCMOS – Schmitt Trigger
1.8
1.80
1.5 V LVCMOS (JESD8-11)
1.5
0.99
1.5 V LVCMOS (JESD8-11) – Schmitt Trigger
1.5
0.96
Notes:
1. PAC9 is the total dynamic power measured on VCCI.
2. All LVCMOS 3.3 V software macros support LVCMOS 3.3 V wide range as specified in the JESD8-B
specification.
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