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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BSH112 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB |
| 封裝： | MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 13/13頁(yè) |
| 文件大小： | 290K |
| 代理商： | BSH112 |
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Philips Electronics N.V. 2000.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 25 August 2000
Document order number: 9397 750 07305
Contents
Philips Semiconductors
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
1
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4
5
6
7
7.1
8
9
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12
13
Description
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Disclaimers
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BSH206 | P-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSH299 | P-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSH301 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| BSM111AR(C) | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 100V V(BR)DSS | 200A I(D) |
| BSM121 | TRANSISTOR | MOSFET POWER MODULE | INDEPENDENT | 200V V(BR)DSS | 130A I(D) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BSH112,235 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSH112235 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 60V 300MA SOT-23 |
| BSH114 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel enhancement mode field effect transistor |
| BSH114 T/R | 功能描述:MOSFET TAPE7 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| BSH114,215 | 功能描述:MOSFET TAPE7 PWR-MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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