參數(shù)資料
型號： BSH112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 3/13頁
文件大?。?/td> 290K
代理商： BSH112
Philips Semiconductors
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 25 August 2000
3 of 13
9397 750 07305
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of solder point temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of solder point temperature.
T
sp
= 25
°
C; I
DM
is single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa17
0
20
40
60
80
100
120
Pder
(%)
0
25
50
75
100
125
150
175
Tsp (oC)
03aa25
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
175
Ider
(%)
Tsp (oC)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
03aa40
10-2
10-1
1
10
1
10
102
VDS(V)
ID
(A)
D.C.
100 ms
10 ms
RDSon= VDS/ ID
1 ms
tp= 10
μ
s
100
μ
s
Tsp= 25oC
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PDF描述
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