參數(shù)資料
型號(hào)： BSH112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 4/13頁(yè)
文件大?。?/td> 290K
代理商： BSH112
Philips Semiconductors
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 25 August 2000
4 of 13
9397 750 07305
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol
R
th(j-sp)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from junction to solder
point
thermal resistance from junction to ambient
Conditions
mounted on a metal clad substrate;
Figure 4
mounted on a printed circuit board;
minimum footprint
Value
150
Unit
K/W
R
th(j-a)
350
K/W
Mounted on a metal clad substrate.
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to solder point as a function of
pulse duration.
03aa39
1
10
102
103
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
10
tp(s)
Zth(j-sp)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
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PDF描述
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