參數(shù)資料
型號(hào)： BSH112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 290K
代理商： BSH112
Philips Semiconductors
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 25 August 2000
7 of 13
9397 750 07305
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
T
j
= 25
°
C and 150
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 11. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 12. Input, output and reverse transfer capacitances
as a function of drain-source voltage; typical
values.
03aa34
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-60
-20
20
60
100
Tj (oC)
180
typ
min
VGS(th)
(V)
03aa37
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VGS (V)
3
typ
min
ID
(A)
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
03aa44
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
ID (A)
gfs
(S)
Tj = 25oC
150oC
VDS > ID X RDSon
03aa46
1
10
102
10-1
1
10
102
VDS (V)
Ciss, Coss,
Crss (pF)
Ciss
Coss
Crss
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PDF描述
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