參數(shù)資料
型號(hào)： BSH112
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： N-channel enhancement mode field-effect transistor
中文描述： 300 mA, 60 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB
封裝： MINIATURE, PLASTIC PACKAGE-3
文件頁(yè)數(shù)： 2/13頁(yè)
文件大小： 290K
代理商： BSH112
Philips Semiconductors
BSH112
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 25 August 2000
2 of 13
9397 750 07305
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
5.
Quick reference data
6.
Limiting values
Table 2:
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
P
tot
total power dissipation
T
j
junction temperature
R
DSon
drain-source on-state resistance
Quick reference data
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 10 V
T
sp
= 25
°
C
Typ
2.8
3.8
Max
60
300
0.83
150
5
5.3
Unit
V
mA
W
°
C
V
GS
= 10 V; I
D
= 500 mA
V
GS
= 4.5 V; I
D
= 75 mA
Table 3:
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Symbol Parameter
V
DS
drain-source voltage (DC)
V
DGR
drain-gate voltage (DC)
V
GS
gate-source voltage (DC)
I
D
drain current (DC)
Limiting values
Conditions
T
j
= 25 to 150
°
C
T
j
= 25 to 150
°
C; R
GS
= 20 k
Min
Max
60
60
±
15
300
Unit
V
V
V
mA
T
sp
= 25
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
and
3
T
sp
= 100
°
C; V
GS
= 10 V;
Figure 2
T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s;
Figure 3
T
sp
= 25
°
C;
Figure 1
190
1.2
mA
A
I
DM
peak drain current
P
tot
T
stg
T
j
Source-drain diode
I
S
source (diode forward) current (DC)
I
SM
peak source (diode forward) current
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
65
65
0.83
+150
+150
W
°
C
°
C
T
sp
= 25
°
C
T
sp
= 25
°
C; pulsed; t
p
≤
10
μ
s
300
1.2
mA
A
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PDF描述
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參數(shù)描述
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