參數資料
型號： BSP255
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數： 6/10頁
文件大小： 65K
代理商： BSP255
1996 Aug 05
6
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP255
Fig.5
Gate-source voltage as a function of
total gate charge; typical values.
V
DD
=
50 V: I
D
=
180 mA.
handbook, halfpage
(V)
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
8
6
4
2
0
MBH443
Qg (nC)
Fig.6 Output characteristics; typical values.
T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
4
6
8
10
12
600
400
0
200
MBH441
VDS (V)
VGS =
10 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
3.0 V
2.5 V
2.0 V
Fig.7 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
=
10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(mA)
0
2
4
6
8
10
200
400
600
0
MBH440
VGS (V)
Fig.8
Source-drain current as a function of
source-drain diode forward voltage;
typical values.
V
GD
= 0.
(1) T
j
= 150
°
C.
(2) T
j
= 25
°
C.
(3) T
j
=
65
°
C.
handbook, halfpage
ISD
(A)
2.0
0
(1)
(2)
VSD (V)
0.8
0.4
2.0
0
MBH436
1.6
1.2
0.5
1.0
1.5
(3)
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