參數(shù)資料
型號： BSP255
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁數(shù)： 8/10頁
文件大?。?/td> 65K
代理商： BSP255
1996 Aug 05
8
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP255
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage as a function of
junction temperature; typical values.
V
GSth
at V
DS
=V
GS
; I
D
=
1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
75
25
175
k
1.2
0.8
0.6
1.0
MBH438
25
75
125
Tj (
°
C)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-state resistance as a function of
junction temperature; typical values.
(1) V
GS
=
4.5 V; I
D
=
80 mA.
(2) V
GS
=
2.8 V; I
D
=
50 mA.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
75
25
175
2.0
1.6
(1)
(2)
0.4
1.2
0.8
MBH439
25
75
125
Tj (
°
C)
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PDF描述
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