參數(shù)資料
型號(hào)： BSP255
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor
中文描述： 0.325 A, 300 V, 17 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 7/10頁(yè)
文件大?。?/td> 65K
代理商： BSP255
1996 Aug 05
7
Philips Semiconductors
Product specification
P-channel enhancement mode
vertical D-MOS transistor
BSP255
Fig.9
Drain source on-state resistance as a function
of gate-source voltage; typical values.
V
DS
≥
I
D
×
R
DSon
; T
j
= 25
°
C.
(1) I
D
=
10 mA.
(2) I
D
=
50 mA.
(3) I
D
=
80 mA.
(4) I
D
=
160 mA.
(5) I
D
=
325 mA.
handbook, halfpage
10
VGS (V)
0
MBH437
10
2
10
2
4
6
RDSon
(
)
8
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
Fig.10 Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
120
80
40
0
10
20
50
40
30
MBH442
VDS (V)
Crss
Ciss
Coss
Fig.11 Switching time test circuit and input and output waveforms.
handbook, full pagewidth
MGD391
10 %
90 %
Vin
Vout
td(on)
ton
toff
tr
tf
td(off)
10 %
90 %
10 %
90 %
0
0
VDD
RL
Vout
Vin
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PDF描述
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