參數(shù)資料
型號： CY8C5386AXI-081
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLAINT, MS-026, TQFP-100
文件頁數(shù)： 83/102頁
文件大小： 2374K
代理商： CY8C5386AXI-081
PRELIMINARY
PSoC 5: CY8C53 Family Datasheet
Document Number: 001-55035 Rev. *G
Page 81 of 102
11.7 Memory
Specifications are valid for –40 °C
TA 85 °C and TJ 100 °C, except where noted. Specifications are valid for 1.71 V to 5.5 V,
except where noted.
11.7.1 Flash
11.7.2 EEPROM
11.7.3 Nonvolatile Latches (NVL)
Table 11-54. Flash DC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Erase and program voltage
VDDD pin
1.71
–
5.5
V
Table 11-55. Flash AC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
TWRITE
Row write time (erase + program)
–
15
ms
TERASE
Row erase time
–
10
ms
Row program time
–
5
ms
TBULK
Bulk erase time (256 KB)
–
80
ms
Sector erase time (16 KB)
–
15
ms
Total device program time
(including JTAG, and so on)
–
5
seconds
Flash endurance
100 k
–
program/
erase
cycles
Flash data retention time
Retention period measured from
last erase cycle
20
–
years
Table 11-56. EEPROM DC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Erase and program voltage
1.71
–
5.5
V
Table 11-57. EEPROM AC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
TWRITE
Single byte erase/write cycle time
–
2
15
ms
EEPROM endurance
1 M
–
program/
erase
cycles
EEPROM data retention time
Retention period measured from
last erase cycle (up to 100 K cycles)
20
–
years
Table 11-58. NVL DC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
Erase and program voltage
VDDD pin
1.71
–
5.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
CYD18S72AV-133BBI 256K X 72 DUAL-PORT SRAM, 5.5 ns, PBGA484
CYDD18S72V18-167BGI 256K X 72 DUAL-PORT SRAM, 9 ns, PBGA484
CYW2330ZITR PLL FREQUENCY SYNTHESIZER, 2500 MHz, PDSO20
CYW311OXCT 200 MHz, PROC SPECIFIC CLOCK GENERATOR, PDSO48
CZ23EH-FREQ-OUT23 VCXO, CLOCK, 1.25 MHz - 65 MHz, CMOS/TTL OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
CY8C5466AXI-064 功能描述:可編程片上系統(tǒng) - PSoC PSoC 5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 核心:8051 處理器系列:CY8C36 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:67 MHz 程序存儲器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:0.5 V to 5.5 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:QFN-68 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
CY8C5466AXI-064T 功能描述:可編程片上系統(tǒng) - PSoC 64Kb Flash 16Kb SRAM PSoC 5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 核心:8051 處理器系列:CY8C36 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:67 MHz 程序存儲器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:0.5 V to 5.5 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:QFN-68 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
CY8C5466LTI-063 功能描述:可編程片上系統(tǒng) - PSoC PSoC 5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 核心:8051 處理器系列:CY8C36 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:67 MHz 程序存儲器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:0.5 V to 5.5 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:QFN-68 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
CY8C5466LTI-063T 功能描述:可編程片上系統(tǒng) - PSoC 64Kb Flash 16Kb SRAM PSoC 5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 核心:8051 處理器系列:CY8C36 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:67 MHz 程序存儲器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:0.5 V to 5.5 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:QFN-68 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
CY8C5467AXI-011 功能描述:可編程片上系統(tǒng) - PSoC PSoC 5 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 核心:8051 處理器系列:CY8C36 數(shù)據(jù)總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:67 MHz 程序存儲器大小:32 KB 數(shù)據(jù) RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:0.5 V to 5.5 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:QFN-68 安裝風(fēng)格:SMD/SMT
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