參數(shù)資料
型號： CY8C5386AXI-081
廠商： CYPRESS SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 外設(shè)及接口
英文描述： MULTIFUNCTION PERIPHERAL, PQFP100
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, ROHS COMPLAINT, MS-026, TQFP-100
文件頁數(shù)： 84/102頁
文件大小： 2374K
代理商： CY8C5386AXI-081
PRELIMINARY
PSoC 5: CY8C53 Family Datasheet
Document Number: 001-55035 Rev. *G
Page 82 of 102
11.7.4 SRAM
11.7.5 External Memory Interface
Figure 11-2. Asynchronous Read Cycle Timing
Table 11-59. NVL AC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
NVL endurance
Programmed at 25 °C
1 K
–
program/
erase
cycles
Programmed at 0 °C to 70 °C
100
–
program/
erase
cycles
NVL data retention time
Programmed at 25 °C
20
–
years
Programmed at 0 °C to 70 °C
20
–
years
Table 11-60. SRAM DC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
VSRAM
SRAM retention voltage
1.2
–
V
Table 11-61. SRAM AC Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
FSRAM
SRAM operating frequency
DC
–
80
MHz
Table 11-62. Asynchronous Read Cycle Specifications
Parameter
Description
Conditions
Min
Typ
Max
Units
T
EMIF clock period
30.3
–
ns
Tcel
EM_CEn low time
2 × T – 1
–
2 × T + 2
ns
Taddrv
EM_CEn low to EM_Addr valid
–
5
ns
Taddrh
Address hold time after EM_OEn high
2
–
ns
Toev
EM_CEn low to EM_OEn low
–5
–
5
ns
EM_Addr
EM_CEn
EM_OEn
EM_Data
EM_WEn
Address
Data
Tcel
Taddrv
Taddrh
Toev
Toel
Toeh
Tdcesu
Tdoesu
Tdceh
Tdoeh
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PDF描述
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參數(shù)描述
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