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參數(shù)資料
| 型號： | GS8182S18BD-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 25/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | GS8182S18BD-250I |
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GS8182S08/09/18/36BD-400/375/333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03b 6/2010
31/37
2007, GSI Technology
JTAG Port Timing Diagram
tTH
tTS
tTKQ
tTH
tTS
tTH
tTS
tTKL
tTKH
tTKC
TCK
TDI
TMS
TDO
Parallel SRAM input
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
TCK Cycle Time
tTKC
50
—
ns
TCK Low to TDO Valid
tTKQ
—
20
ns
TCK High Pulse Width
tTKH
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tTKL
20
—
ns
TDI & TMS Set Up Time
tTS
10
—
ns
TDI & TMS Hold Time
tTH
10
—
ns
JTAG Port AC Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
TCK Cycle Time
tCHCH
50
—
ns
TCK High Pulse Width
tCHCL
20
—
ns
TCK Low Pulse Width
tCLCH
20
—
ns
TMS Input Setup Time
tMVCH
5
—
ns
TMS Input Hold Time
tCHMX
5
—
ns
TDI Input Setup Time
tDVCH
5
—
ns
TDI Input Hold Time
tCHDX
5
—
ns
SRAM Input Setup Time
tSVCH
5
—
ns
SRAM Input Hold Time
tCHSX
5
—
ns
Clock Low to Output Valid
tCLQV
0
10
ns
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS8182S18BD-300I | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS8182T08GBD-167IT | 2M X 8 DDR SRAM, 0.5 ns, PBGA165 |
| GS82032AT-4I | 64K X 32 CACHE SRAM, 10 ns, PQFP100 |
| GS8342S36AE-200S | 1M X 36 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| GS880Z18CT-250IVT | 512K X 18 ZBT SRAM, QFP100 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS8182S18D-250 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FBGA - Trays |
| GS8182S18D-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182S36BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
| GS8182S36BD-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
| GS8182S36BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
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