參數(shù)資料
型號： GS8182S18BD-250I
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： SRAM
英文描述： 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁數(shù)： 9/37頁
文件大?。?/td> 564K
代理商： GS8182S18BD-250I
GS8182S08/09/18/36BD-400/375/333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03b 6/2010
17/37
2007, GSI Technology
AC Test Conditions
Parameter
Conditions
Input high level
VDDQ
Input low level
0 V
Max. input slew rate
2 V/ns
Input reference level
VDDQ/2
Output reference level
VDDQ/2
Note:
Test conditions as specified with output loading as shown unless otherwise noted.
DQ
VT = VDDQ/2
50
Ω
RQ = 250
Ω (HSTL I/O)
VREF = 0.75 V
AC Test Load Diagram
Input and Output Leakage Characteristics
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min.
Max
Input Leakage Current
(except mode pins)
IIL
VIN = 0 to VDD
–2 uA
2 uA
Doff
IINDOFF
VDD ≥ VIN ≥ VIL
0 V
≤ VIN ≤ VIL
–100 uA
–2 uA
2 uA
Output Leakage Current
IOL
Output Disable,
VOUT = 0 to VDDQ
–2 uA
2 uA
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PDF描述
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