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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8182S18BD-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 1M X 18 DDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 31/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 564K |
| 代理商： | GS8182S18BD-250I |
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GS8182S08/09/18/36BD-400/375/333/300/250/200/167
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03b 6/2010
37/37
2007, GSI Technology
SigmaSIO DDR-II Revision History
File Name
Format/Content
Description of changes
8182SxxB_r1
Creation of datasheet
8182SxxB_r1_02
Content
Addition of x36
Addition of Operating Currents
8182SxxB_r1_03
Content
Removed “Preliminary” banner to reflect MP status
(Rev1.03a:Revised Example Four Bank Depth Expansion Sche-
matic, Updated JTAG Port AC Test Conditions, Updated 165 BGA
Package Drawing)
(Rev1.03b: removed CQ reference from SAMPLE-Z section in
JTAG Tap Instruction Set Summary)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8182S18D-250I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 18MBIT 1MX18 0.45NS 165FPBGA - Trays |
| GS8182S36BD-167 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
| GS8182S36BD-167I | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
| GS8182S36BD-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:512K X 36 (18 MEG) BURST OF 2 - Trays |
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