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參數(shù)資料
| 型號： | HMT351V7BFR8C-H9 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM MODULE, DMA240 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, DIMM-240 |
| 文件頁數(shù)： | 20/61頁 |
| 文件大?。?/td> | 1050K |
| 代理商： | HMT351V7BFR8C-H9 |
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Rev. 0.1 / Feb. 2010
27
Notes:
1. For CK, CK use VIH/VIL (ac) of ADD/CMD; for strobes (DQS, DQS, DQSL, DQSL, DQSU, DQSU) use VIH/VIL (ac)
of DQs.
2. VIH (ac)/VIL (ac) for DQs is based on VREFDQ; VIH (ac)/VIL (ac) for ADD/CMD is based on VREFCA; if a reduced
ac-high or ac-low level is used for a signal group, then the reduced level applies also here.
3. These values are not defined; however, the single-ended signals Ck, CK, DQS, DQS, DQSL, DQSL, DQSU, DQSU
need to be within the respective limits (VIH (dc) max, VIL (dc) min) for single-ended signals as well as the limita-
tions for overshoot and undershoot. Refer to “Overshoot and Undershoot Specifications” on page 34.
Single-ended levels for CK, DQS, DQSL, DQSU, CK, DQS, DQSL or DQSU
Symbol
Parameter
DDR3-800, 1066, 1333, & 1600
Unit Notes
Min
Max
VSEH
Single-ended high level for strobes
(VDD / 2) + 0.175
Note 3
V
1,2
Single-ended high level for Ck, CK
(VDD /2) + 0.175
Note 3
V
1,2
VSEL
Single-ended low level for strobes
Note 3
(VDD / 2) = 0.175
V
1,2
Single-ended low level for CK, CK
Note 3
(VDD / 2) = 0.175
V
1,2
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參數(shù)描述 |
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| HMT351V7BMR4C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-G7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
| HMT351V7BMR8C-H9 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:240pin DDR3 SDRAM VLP Registered DIMM |
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