參數(shù)資料
型號(hào)： HMT351V7BFR8C-H9
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： DDR DRAM MODULE, DMA240
封裝： ROHS COMPLIANT, DIMM-240
文件頁(yè)數(shù)： 4/61頁(yè)
文件大?。?/td> 1050K
代理商： HMT351V7BFR8C-H9
Rev. 0.1 / Feb. 2010
12
Functional Block Diagram
2GB, 256Mx72 Module(1Rank of x8)
CB[7:0]
DQS8_t
DQS8_c
DM8/DQS17_t
DQS17_c
R
AS
A_n
RCAS
A
_n
R
S0A_n
RWEA_
n
PC
K0
A_
t
PCK0
A
_c
RC
KE0
A
RO
D
T0A
A[
N:
O
]A
Vtt
DQ[31:24]
DQS3_t
DQS3_c
DM3/DQS12_t
DQS12_c
DQ[23:16]
DQS2_t
DQS2_c
DM2/DQS11_t
DQS11_c
DQ[15:8]
DQS1_t
DQS1_c
DM1/DQS10_t
DQS10_c
DQ[7:0]
DQS _t
DQS _c
DM /DQS9_t
DQS9_c
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D8
DQ [7:0]
ZQ
RA
S_n
CAS
_n
CS
_n
WE
_n
CK_
t
CK_
n
CKE
OD
T
A[
N:O
]/
BA[
N:O]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D3
DQ [7:0]
ZQ
RAS_
n
CAS_
n
CS_
n
WE
_n
CK_
t
CK_
n
CKE
OD
T
A[
O:N]
/B
A[N
:O]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D2
DQ [7:0]
ZQ
RAS_
n
CAS_
n
CS_n
WE_n
CK_t
CK_n
CKE
OD
T
A[O
:N]/BA[N
:O]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D1
DQ [7:0]
ZQ
RAS_n
CAS_n
CS_n
WE_n
CK_t
CK_n
CKE
OD
T
A[N
:O]/BA[N:O
]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D0
DQ [7:0]
ZQ
RAS_n
CAS_n
CS_n
WE_n
CK_t
CK_n
CKE
OD
T
A[N
:O]
/BA[N
:O]
DQ[39:32]
DQS4_t
DQS4_c
DM4/DQS13_t
DQS13_c
RR
AS
B_
n
RCASB_
n
R
S0B_n
RWEB_
n
PC
K0
B_
t
PCK0
B_
c
RC
KE0
B
RO
D
T0B
A[
N:
O
]B
Vtt
DQ[47:40]
DQS5_t
DQS5_c
DM5/DQS14_t
DQS14_c
DQ[55:48]
DQS6_t
DQS6_c
DM6/DQS15-t
DQS15_c
DQ[63:56]
DQS7_t
DQS7_c
DM7/DQS16_t
DQS16_c
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D4
DQ [7:0]
ZQ
RA
S_n
CAS
_n
CS
_n
WE
_n
CK_
t
CK_
n
CKE
OD
T
A[
O:N
]/
BA[
O:N]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D5
DQ [7:0]
ZQ
RA
S_
n
CA
S_
n
CS
_n
WE_n
CK
_t
CK
_n
CK
E
OD
T
A[O:N
]/
BA[
N:O]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D6
DQ [7:0]
ZQ
RAS_n
CAS_n
CS_n
WE_n
CK_t
CK_n
CKE
OD
T
A[O:
N]/BA[N:O
]
DQS_t
DQS_c
TDQS_t
TDQS_c
D7
DQ [7:0]
ZQ
RA
S_n
CAS
_n
CS
_n
WE
_n
CK_
t
CK_
n
CKE
OD
T
A[
N:O
]/
BA[
N:O]
/B
A[
N
:O
]A
/B
A[
N
:O
]B
S0_n
S1_n
BA[N:0]
A[N:0]
RAS_n
CAS_n
WE_n
CKE0
ODT0
CK0_t
CK0_c
PAR_IN
RS0A_n
CS0_n: SDRAMs D[3:0], D8
RS0BCK_n
CS0_n: SDRAMs D[7:4]
RBA[N:0]A
BA[N:0]: SDRAMs D[3:0], D8
RRASB_n
RAS_n: SDRAMs D[7:4]
RBA[N:0]B
BA[N:0]: SDRAMs D[7:4]
RA[N:0]B
A[N:0]: SDRAMs D[7:4]
RA[N:0]A
A[N:0]: SDRAMs D[3:0], D8
RRASA_n
RAS_n: SDRAMs D[3:0], D8
RCASB_n
CAS_n: SDRAMs D[7:4]
RCASA_n
CAS_n: SDRAMs D[3:0], D8
RWEB_n
WE_n: SDRAMs D[7:4]
RWEA_n
WE_n: SDRAMs D[3:0], D8
RCKE0B
CKE0: SDRAMs D[7:4]
RCKE0A
CKE0: SDRAMs D[3:0], D8
RODT0B
ODT0: SDRAMs D[7:4]
RODT0A
ODT0: SDRAMs D[3:0], D8
PCK0B_t
CK_t: SDRAMs D[7:4]
PCK0A_t
CK_t: SDRAMs D[3:0], D8
PCK0B_c
CK_c: SDRAMs D[7:4]
PCK0A_c
CK_c: SDRAMs D[3:0], D8
Err_Out_n
OERR_n
RESET_n
RST_n
RST_n: SDRAMs D[8:0]
S[3:2], CKE1, ODT1, are NC (Unused register inputs ODT1 and CKE1 have a 120...330
resistor to ground
1:
2
R
E
G
I
S
T
E
R
/
P
D0–D8
VDD
VTT
VDDSPD
D0–D8
VREFDQ
SPD
VREFCA
VSS
D0–D8
Note:
1.DQ-to-I/O wiring may be changed within byte.
2.ZQ resistors are
1%.For all other resistor values refer to the
appropriate wiring diagram.
VDDSPD
EVENT
SCL
SDA
SA0
SPD with
Integrated
TS
SA1
SA2
VSS
VDDSPD
EVENT
SCL
SDA
SA0
SA1
SA2
VSS
Plan to use SPD with Integrated TS of Class B and
might be changed on customer’s requests. For more
details of SPD and Thermal sensor, please contact
local Hynix sales representative
120
1%
CK1_t
CK1_c
120
1%
L
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